APTGF300A120D3G
メーカー:
マイクロセミ株式会社
記述:
IGBT モジュール 1200V 420A 2100W D3
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
420 A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
D-3 モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.7V @ 15V,300A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
D3
Mfr:
マイクロセミ株式会社
動作温度:
-
電流 - コレクターの切断値 (最大):
5 mA
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
2100 W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
19 nF @ 25 V
構成:
ハーフブリッジ
NTC サーミストール:
ありません
導入
IGBT モジュール NPT ハーフブリッジ 1200 V 420 A 2100 W シャーシマウント D3
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