指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
200A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SP4
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.7V @ 15V, 150A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
SP4
Mfr:
マイクロセミ株式会社
動作温度:
-
電流 - コレクターの切断値 (最大):
350μA
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
961W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
10.2 nF @ 25V
構成:
二重 共通 源
NTC サーミストール:
はい
導入
IGBT モジュール NPT デュアル,コモンソース 1200 V 200 A 961 W シャーシマウント SP4
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