APTGFQ25H120T2G
メーカー:
マイクロセミ株式会社
記述:
IGBT モジュール 1200V 40A 227W SP2
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
40 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SP2
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
SP2
Mfr:
マイクロセミ株式会社
動作温度:
-
電流 - コレクターの切断値 (最大):
250 μA
IGBTタイプ:
NPTとフィールドストップ
パワー - マックス:
227 W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
2.02 nF @ 25V
構成:
完全な橋
NTC サーミストール:
はい
基本製品番号:
APTGFQ25
導入
IGBTモジュール NPTとフィールドストップ フルブリッジ 1200 V 40 A 227 W Through Hole SP2
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