MG25P12P3
メーカー:
ヤンジ・テクノロジー
記述:
トランジスタ - IGBT - モジュールP3
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
25A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.25V @ 15V, 25A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
-
Mfr:
ヤンジ・テクノロジー
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
175 W
インプット:
三相橋整流器
入力容量 (Cies) @ Vce:
1.9 nF @ 25V
構成:
ブレーキが付いている三相インバーター
NTC サーミストール:
はい
導入
IGBT モジュール 3相インバーター ブレーキ付き 1200 V 25 A 175 W シャーシマウント
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