APTGT50DDA120T3G
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
IGBT モジュール 1200V 75A 270W SP3
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
75 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SP3
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.1V @ 15V、50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
SP3
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-40°C~175°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
250 μA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
270W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25V
構成:
二重推進ヘリコプター
NTC サーミストール:
はい
基本製品番号:
APTGT50
導入
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ ダブルブーストヘリコプター 1200 V 75 A 270 W シャーシマウント SP3
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: