APT100GT120JR
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
123A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
落雷IGBT®
パッケージ/ケース:
SOT-227-4 ミニブロック
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.7V @ 15V,100A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
ISOTOP®
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
100 μA
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
570W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
6.7 nF @ 25V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
ありません
基本製品番号:
APT100
導入
IGBT モジュール NPT シングル 1200 V 123 A 570 W シャーシマウント ISOTOP®
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: